令和5年度 春期 応用情報技術者試験 午前 問11
テクノロジハードウェア
この問題は2023(R5)春 応用情報技術者 午前に出題されたものです。出題時点の法令・制度に基づく内容のため、現行の内容と一致しない場合があります。
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フラッシュメモリにおけるウェアレベリングの説明として，適切なものはどれか。
解答・解説を読む
正解: 選択肢ア
フラッシュメモリ（SSDやUSBメモリなど）の記憶素子には、書き換え可能回数に上限（寿命）があります。特定のブロックに書き込みが集中すると、その部分だけ早く寿命を迎えてしまい、記憶装置全体が使えなくなってしまうおそれがあります。
これを防ぐために、各ブロックの書き込み回数がなるべく均等になるよう、物理的な書き込み位置を分散させる技術をウェアレベリング（Wear Leveling）と呼びます。
各選択肢の解説
- ア: 正解。ウェアレベリングの説明です。
- イ: 多値記憶技術（MLC、TLCなど）の説明です。記憶するセルの電子の量に応じて1つのセルに複数のビット情報を記録することで、大容量化を実現します。
- ウ: 不良ブロック管理（バッドブロック代替）の説明です。使用できなくなったブロックを検出し、予備の正常なブロックに割り当て直す処理です。
- エ: フラッシュメモリの基本的なデータ書き換え動作の説明です。フラッシュメモリはデータの上書きができない性質を持つため、一度ブロック単位でデータを消去してから新しいデータを書き込む必要があります。