トランジスタ(とらんじすた)

詳細解説

バイポーラトランジスタは、ベース・エミッタ・コレクタの3端子をもち、能動領域で動作させると、ベースからエミッタへ流すわずかな電流の変化に正比例して、コレクタからエミッタへ大きな電流が流れる性質を示します。これに対し、集積回路で主流となっているMOSトランジスタ（MOSFET）は、金属電極・酸化物絶縁体・半導体の3層を重ねた構造をとり、ゲート電極にかける電圧によってソース・ドレイン間の電流の通り道を制御します。

2端子のダイオードが一方向への整流を担うのに対し、トランジスタは制御用の端子への入力で出力側の電流を自在に操れるため、論理ゲートや記憶素子の基本単位となります。なお、プロセッサなどの微細化された回路では、スイッチングのたびに生じるダイナミックな消費電力（電源電圧の2乗に比例）に加え、オフのときにも漏れ出すリーク電流が生む静的な消費電力が課題となり、しきい値電圧を下げて高速化するほどこの漏れは増えます。